TSC (Taiwan Semiconductor)
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC (US1M R3G)
Part Number: US1M R3G
Documents / Media: datasheets US1M R3G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 1000V
- Прямой ток (If) (Max): 1A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.7V @ 1A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 75ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 1000V
- Емкость @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: DO-214AC, SMA
- Исполнение корпуса: DO-214AC (SMA)
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 150°C
Цена по запросу